Development history

发展历程

1999年

肩负核心元器件国产化的使命,与山东大学产学研合作,华光光电应运而生,填补了国内半导体激光器材料和芯片关键技术研发及生产的空白。

2001年

国内第一只具有自主知识产权的商品化650nm、808nm产品在华光下线。

2002年

国家产业化前期重大关键技术项目“半导体发光器件外延工艺及管芯技术四项子课题”通过国家技术鉴定和项目验收,达到国际先进技术水平,光电子产业从此有了中国“芯”。

 

 

 

2003年

650nm同轴耦合输出激光器研发成功并实现量产;各类激光器器件月产量达到80万只;“半导体发光材料外延工艺与器件制造技术”荣获山东省科技进步一等奖。

2004年

650nm激光器芯片月产量再创新高,达到月产能1000万粒,产销量跃居国内第一位。

2005年

建立中小功率封装200mW-300mW 808nm激光器件封装生产线,并迅速实现月产2万只能力。

2006年

经过不断扩量,650nm激光器芯片月产量达到1500万粒;200mW-300mW 808nm激光器器件月产量达到10万只;650/808产品产销稳居国内领先地位;获批山东省光电子工程技术研究中心。

2007年

瓦级 808nm激光器取得技术突破,并实现量产;5W 808nm半导体激光器研发成功。

2008年

自主研发的808nm单管8W激光器下线并量产;光纤耦合输出FM系列激光器研发成功,并迅速实现规?;坎?。

2009年

科技部863“高可靠性、低成本半导体激光器材料与器件工程化开发“项目实施;基于不断提升的技术创新能力,华光光电获批山东省半导体激光器技术重点实验室。

2010年

潍坊厂区一期项目顺利完工,并全线投入使用,激光器月产量达到30万只;获批山东省大功率半导体激光器工程实验室。

2011年

“高功率808nm非对称无铝应变量子阱激光器”荣获山东省技术发明二等奖。

2012年

405nm同轴耦合光纤输出激光器研发成功,并实现量产。

2013年

650nm同轴耦合输出激光器研发成功并实现量产;各类激光器器件月产量达到80万只。

2015年

500W微通道叠阵激光器研发成功;808nm激光器达到月产销500万只能力,并连续10年产销规模稳居国内第一位。

2014年

实施激光器扩产计划,各类激光器器件月产量突破200万只。

2016年

千瓦级微通道叠阵激光器研发成功;资本运作进入新阶段。

2017年

第一台采用自产巴条的5巴条300W、10巴条500W宏通道叠阵激光器??橄嗉萄蟹⒊晒Σ⒘坎?;大功率650nm激光器单管输出功率2.8W,指标达到国际先进水平。

2019年

808/878泵源性价比进入世界先进行列;915nm20W芯片光束质量达到较高水平,偏振度优于国际上同类产品。

2018年

国内第一只传感用85度高温790nm激光器件研发成功,并实现量产;9系列大功率巴条被客户认定为国际前三;高端650nm激光器器件实现月产销200万只能力;
采用自产巴条的10巴1000W宏通道叠阵激光器??檠蟹⒊晒Σ⑹迪至坎?,808nm产品产销量继续保持国内领先地位,并以该产品为基础获批山东省“单项冠军”。

2020年

获批“国家认定企业技术中心”;实现年产激光外延片5万片,激光芯片3亿粒、激光器器件1亿只;650nm激光器件月产销规模达到500万只,位居国内第一位。

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